Infineon IPD50N06S4L12ATMA2

Name: Infineon IPD50N06S4L12ATMA2
Brand: Infineon
SKU: IPD50N06S4L12ATMA2

Mosfet, N-Ch, 60V, 50A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA2

$ 0.464

Production

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IPD50N06S4L12ATMA2	1 190	5	Cut Tape		0,986	0,655	0,584	0,584
Arrow Electronics		IPD50N06S4L12ATMA2	1 885	1		0,399	0,399	0,399	0,399	0,399
Rochester Electronics	2	IPD50N06S4L12ATMA2	43 489								9h
DigiKey	3	IPD50N06S4L12ATMA2CT-ND	23 967	1	Cut Tape	1,550	0,980	0,651	0,464	0,464
Avnet		IPD50N06S4L12ATMA2	0	2500						0,314	11h

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IHS

Datasheet9 pagesIl y a 17 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-03-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

LTB Date2016-12-01

LTD Date2017-06-01

Pièces détachées

InfineonIRFR3607PBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 7.34 Milliohms;ID 56A;D-Pak;PD 140W;VGS +/-2

Détails

InfineonIRFR7746TRPBF

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-PAK package, DPAK-3, RoHS

Détails

InfineonIRFR7746PBF

HEXFET POWER MOSFET / N-Channel 75 V 56A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)

Détails

Diodes Inc.DMTH6009LK3Q-13

Mosfet, N-Ch, 60V, 59A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6009LK3Q-13

Détails

Diodes Inc.DMT6009LK3-13

Mosfet, N-Ch, 60V, 57A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6009LK3-13

Détails

Diodes Inc.DMTH6009LK3-13

Mosfet, N-Ch, 60V, 59A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6009LK3-13

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD50N06S4L12ATMA2 fournies par ses distributeurs.

Mosfet, N-Ch, 60V, 50A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD50N06S4L12ATMA2

Newark

IPD50N06S4L Series 60 V 50 A 12 mOhm OptiMOS®-T2 Power-Transistor -PG-TO252-3-11

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

EBV Elektronik

60V, N-Ch, 12 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 50A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs

element14 APAC

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 60V (on); highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors

Infineon

Images

Farnell

TME

LZChips

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

IPD50N06S4L-12
IPD50N06S4L-12ATMA2
IPD50N06S4L12
IPD50N06S4L12ATMA1
SP000476422
SP001028640

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Terminals2

Weight3.949996 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)50 A

Drain to Source Resistance12 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time5 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)16 V

Input Capacitance2.89 nF

Max Dual Supply Voltage60 V

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation50 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

On-State Resistance12 mΩ

Package Quantity2500

PackagingTape & Reel

Power Dissipation50 W

Rds On Max12 mΩ

Rise Time2 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time25 ns

Turn-On Delay Time6 ns

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Datasheet9 pagesIl y a 17 ans

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Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

RatingsAEC-Q101

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Conflict Mineral StatementN/AN/A