Infineon IPD30N03S2L20ATMA1
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-07-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-01-31
LTD Date2025-07-31
Pièces détachées
onsemiNTD40N03RT4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 32A Tc 32A 2.1W 3.5ns
STMicroelectronicsSTD27N3LH5
N-channel 30 V, 0.014 Ohm, 27 A, DPAK, STripFET (TM) V Power MOSFET
Descriptions
Descriptions de Infineon IPD30N03S2L20ATMA1 fournies par ses distributeurs.
IPD30N03S2L20ATMA1 N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V OptiMOS, 3-Pin DPAK Infineon
30V, N-Ch, 20 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 30V, To-252; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.0145Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Power Rohs Compliant: Yes
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching (3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control).; Body applications
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance31 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance530 pF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance20 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation60 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height2.5 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité