Infineon IPD26N06S2L35ATMA2

N-Channel 55 V 35 mOhm OptiMOS® Power-Transistor - PG-TO252-3-11
$ 0.438
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
AvnetIPD26N06S2L35ATMA22 5002500
4h
Newark
2
IPD26N06S2L35ATMA25 4415Cut Tape
Arrow Electronics
3
IPD26N06S2L35ATMA22 4801
RutronikTMOSP116255 0002500
9h
Rochester ElectronicsIPD26N06S2L35ATMA237 995
2h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPD26N06S2L35ATMA2.

IHS

Datasheet8 pagesIl y a 19 ans

TME

iiiC

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-3.68%
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPD26N06S2L35ATMA2, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-08-30
LTD Date2024-08-30

Pièces détachées

InfineonIRFR4105ZTRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Détails
InfineonIRFR4105TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 27A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W
Détails
InfineonIPD25N06S240ATMA2
Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 55 V, 0.0286 Ohm, 10 V, 3 V
Détails
STMicroelectronicsSTD30N6LF6AG
Automotive-grade N-channel 60 V, 19 mOhm typ., 24 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Détails
Diodes Inc.DMPH6050SK3Q-13
P-Channel 60 V 50 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO-252
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD26N06S2L35ATMA2 fournies par ses distributeurs.

N-Channel 55 V 35 mOhm OptiMOS® Power-Transistor - PG-TO252-3-11
Future Electronics
55V, N-Ch, 35 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
OPTIMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 55V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V;
element14 APAC
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Infineon

Images

iiiC
TME
element14 APAC
TME
RS APAC
LZChips
Rochester Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD26N06S2L-35
  • IPD26N06S2L35
  • IPD26N06S2L35ATMA1
  • SP001063630