Infineon IPD14N06S280ATMA2

Mosfet Transistor, N Channel, 17 A, 55 V, 0.05 Ohm, 10 V, 3 V
$ 0.37
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPD14N06S280ATMA22 1641Cut Tape
Arrow ElectronicsIPD14N06S280ATMA22 4681
DigiKey
3
448-IPD14N06S280ATMA2CT-ND3 1991Cut Tape
Rochester ElectronicsIPD14N06S280ATMA238 750
8h
AvnetIPD14N06S280ATMA202500
1d

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 19 ans

element14 APAC

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

onsemiHUFA75309D3S
19 A 55 V 0.07 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA
Détails
InfineonIRFR024NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
Détails
onsemiHUFA75307D3S
PWR MOS ULTRAFET 55V/15A/0.090OHMS N-CHANNEL TO-252AA
Détails
onsemiHUFA75307D3ST
15 A 55 V 0.09 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-252AA
Détails
InfineonIPD800N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 16A TO-252
Détails
InfineonIRLR024NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
Détails
InfineonIRFR024NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD14N06S280ATMA2 fournies par ses distributeurs.

Mosfet Transistor, N Channel, 17 A, 55 V, 0.05 Ohm, 10 V, 3 V
Newark
55V, N-Ch, 80 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
OPTIMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET, N-CH, 55V, 17A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Farnell
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Infineon

Images

iiiC
RS APAC
Component Sense
LZChips
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD14N06S2-80
  • IPD14N06S280
  • IPD14N06S280ATMA1
  • SP001063642