Infineon IPD100N06S403ATMA2

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
$ 0.928
NRND
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPD100N06S403ATMA21 8771Cut Tape
Arrow ElectronicsIPD100N06S403ATMA22 5001
Future ElectronicsIPD100N06S403ATMA22 5002500Tape & Reel
RutronikTMOS145220 0002500
21h
Rochester ElectronicsIPD100N06S403ATMA2347 623
14h

Fiches techniques et documents

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-11
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

Pièces détachées

InfineonIPD90N06S404ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 175Deg C, 150W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N06S404ATMA2
Détails
InfineonIPD038N06N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Détails
InfineonIPD048N06L3GBTMA1
115W 20V 37nC@ 4.5V 1N 60V 4.8m¦¸@ 10V 6.3nF@ 30V TO-252-3 , 6.5mm*6.22mm*2.3mm
Détails
onsemiFDD86567-F085
PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 60 V, 100 A, 3.2 mΩ
Détails
STMicroelectronicsSTD65N55LF3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in DPAK package
Détails
Diodes Inc.DMTH6010LK3Q-13
Trans MOSFET N-CH 60V 14.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Détails
InfineonIPD90N06S404ATMA2
Mosfet, N-Ch, 60V, 175Deg C, 150W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N06S404ATMA2
Détails
InfineonIPD90N06S4L03ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31 / N-Channel 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Détails
Diodes Inc.DMTH6010LK3-13
MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252 / N-Channel 60 V 14.8A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Détails
VishaySQD97N06-6M3L_GE3
136W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 125nC@ 10 V 1N 60V 6.3m¦¸@ 25A,10V 97A 6.06nF@25V TO-252AA 2.38mm
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPD100N06S403ATMA2 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
60V, N-Ch, 3.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
IHS
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 60V, 100A, 150W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs
Farnell
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested; Ultra Low RDSon; Ultra High ID | Benefits: world's lowest RDS at 60V (on); highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Infineon

Images

RS
LZChips
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPD100N06S4-03
  • IPD100N06S403ATMA1
  • SP000415576
  • SP001028766