Infineon IPD096N08N3GATMA1
$ 0.611
NRND
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | 34AC1666 | 89 | 1 | 2d | ||||||||
| Newark | IPD096N08N3GATMA1 | 89 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | IPD096N08N3GATMA1 | 2 057 | 23h | |||||||||
| DigiKey | IPD096N08N3GATMA1CT-ND | 2 316 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IPD096N08N3GATMA1 | 0 | 2500 | Tape & Reel |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-20
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPD096N08N3GATMA1 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 80V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 80V, 0.0096ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 80V, 73A, TO-252; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 73A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.0079ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.8V; Power Dissipation Pd: 100W; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: OptiMOS 3 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)73 A
Drain to Source Resistance9.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Input Capacitance1.81 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance9.6 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation100 W
Schedule B8541290080
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité