Infineon IPB65R065C7ATMA2
$ 3.992
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IPB65R065C7ATMA2 | 1 000 | 1K | 6d | ||||||||
| Newark | IPB65R065C7ATMA2 | 990 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IPB65R065C7ATMA2 | 10 000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | IPB65R065C7ATMA2 | 940 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IPB65R065C7ATMA2CT-ND | 2 220 | 1 | Cut Tape |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginGermany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-10-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPB65R065C7ATMA2 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 33 A, 0.058 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3 / N-Channel 650 V 33A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Mosfet, N-Ch, 650V, 33A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB65R065C7ATMA2
Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Infineon’s CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET series is a revolutionary step forward in technology, providing the worlds’s lowest RDS(on)/package and, thanks to its low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageD2PAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)33 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance65 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation171 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance65 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation171 W
Rds On Max65 mΩ
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height4.7 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité