Infineon IPB60R080P7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK / N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
$ 2.15
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
NewarkIPB60R080P7ATMA18971Cut Tape
Arrow ElectronicsIPB60R080P7ATMA11 0001
Rochester ElectronicsIPB60R080P7ATMA1552
12h
DigiKey
3
IPB60R080P7ATMA1CT-ND1 5161Cut Tape
AvnetIPB60R080P7ATMA101K
14h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPB60R080P7ATMA1.

IHS

Datasheet14 pagesIl y a 0 an
Datasheet14 pagesIl y a 0 an

Future Electronics

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+19.53%
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPB60R080P7ATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Ultra Librarian
SymboleEmpreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-09-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB60R080P7ATMA1 fournies par ses distributeurs.

MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK / N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Win Source
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 37 A, 0.069 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Avnet
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 37A I(D), 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
Mosfet, N-Ch, 600V, 37A, To-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:37A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(On):0.069Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB60R080P7ATMA1
Newark
The 600V CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
Infineon

Images

Augswan
TME
element14 APAC
RS
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB60R080P7
  • SP001664898