Infineon IPB60R070CFD7ATMA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-05-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPB60R070CFD7ATMA1 fournies par ses distributeurs.
Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 600V 31A 3-Pin D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Buffer/Driver 6-CH Inverting Open Collector Bipolar 14-Pin PDIP Tube
Mosfet, N-Ch, 600V, 31A, 150Deg C, 156W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB60R070CFD7ATMA1
Infineon NMOS, Vds=600 V, 31 A, D2PAK £¨TO-263£©, , 3
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
4.7 mm 156 W 1 26 ns 99 ns 150 °C -55 °C 57 mΩ
MOSFET N-CH 650V 31A TO263-3-2
Infineon’s 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R070CFD7 in D2PAK package is ideally suited for resonant topologies in high power SMPS, such as server, telecom and EV charging stations, where it enables significant efficiency improvements. As successor to the CFD2 SJ MOSFET family it comes with reduced gate charge, improved turn-off behavior and up to 69% reduced reverse recovery charge compared to competitors.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation156 W
Turn-Off Delay Time99 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height4.7 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité