Infineon IPB180N10S402ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 2.5 mOhm, TO-263 (D2PAK), 7 Pins, Surface Mount
$ 2.372
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPB180N10S402ATMA1.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 2 ans
Datasheet9 pagesIl y a 13 ans

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+5.93%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPB180N10S402ATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-02-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTH315N10F7-6
Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
STMicroelectronicsSTH310N10F7-6
N-channel 100 V, 1.9 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
STMicroelectronicsSTH270N8F7-6
N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
80V, N-Ch, 2.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7-Lead package, D2PAK7P, RoHS
80V, N-Ch, 3.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB180N10S402ATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 2.5 mOhm, TO-263 (D2PAK), 7 Pins, Surface Mount
100V, N-Ch, 2.5 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive AEC-Q101 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263
N-channel - Enhancement modeAEC qualifiedMSL1 up to 260°C peak reflow175°C operating temperatureGreen product (RoHS compliant)100% Avalanche testedSimulation/SPICE-Model
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 180A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.7V; Power Dissipation Pd: 300W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 7Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: OptiMOS T2 Series; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB180N10S4-02
  • SP001057184