Infineon IPB17N25S3100ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 250 V, 17 A, 100 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
$ 1.114
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPB17N25S3100ATMA1.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 13 ans

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-8.58%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPB17N25S3100ATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-10-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
InfineonIRFS4020PBF
200V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET Switch in a D2Pak package
Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
3.1W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 68nC@ 10 V 1N 250V 280m¦¸@ 8.4A,10V 14A 1.3nF@25V D2PAK,TO-263
Single N-Channel 200V 77.5 mOhm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
MOSFET N-CH 250V 15.6A D2PAK
onsemiFDB2670
Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube
TAPE AND REEL / Automotive MOSFET G10.7, 300V, 185mOhm, 38nC, 19A, D2PAK

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB17N25S3100ATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 250 V, 17 A, 100 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
250V, N-Ch, 100 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 250V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, AEC-Q100, 250V, 17A, TO263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 250V; On Resistance Rds(on): 0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 107W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: OptiMOS T Series; Automotive Qualification Standard: AEC-Q100; MSL: -; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: low RDS (on) in trench technology- down to 19.3 mOhm; highest current capability 64A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Hybrid inverter; DC/DC; Piezo Injection

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB17N25S3-100
  • IPB17N25S3100
  • SP000876560