Infineon IPB120N06S4H1ATMA2

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
$ 1.909
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIPB120N06S4H1ATMA29021
Rochester ElectronicsIPB120N06S4H1ATMA21 240
17h
Farnell
2
IPB120N06S4H1ATMA2941Cut Tape
16h
Mouser726-IPB120N06S4H1ATM7251Tape & Reel
Verical
4
IPB120N06S4H1ATMA2340171

Fiches techniques et documents

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-01-31
LTD Date2025-07-31

Pièces détachées

InfineonIPB021N06N3G
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-263
Détails
InfineonAUIRFS3206
MOSFET, N-CH, 60V, 210A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain
Détails
InfineonAUIRFS3206TRL
Trans MOSFET N-CH 60V 210A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
VishaySQM120N06-3M5L_GE3
VISHAY SQM120N06-3M5L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
Détails
onsemiBBS3002-TL-1E
MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK / P-Channel 60 V 100A (Ta) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
Détails
VishaySUM110P06-08L-E3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 110 A, 0.008 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Détails
InfineonIRFS7540TRLPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Détails
InfineonIRFS7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Détails
VishaySUM50020EL-GE3
N-Channel 60 V 2.1 mOhm 375 W SMT TrenchFET Power Mosfet - TO-263
Détails
onsemiFDB86563-F085
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60V, 110A, 1.8mΩ
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB120N06S4H1ATMA2 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
60V, N-Ch, 2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET, N-CH, 60V, 175DEG C, 250W; Available until stocks are exhausted Alternative available
Farnell
Mosfet, N-Ch, 60V, 175Deg C, 250W Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB120N06S4H1ATMA2
Newark
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 60V (on); highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Infineon

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB120N06S4-H1
  • IPB120N06S4H1
  • IPB120N06S4H1ATMA1
  • SP000396274
  • SP001028782