Infineon IPB100N06S205ATMA4

55V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
$ 2.037
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPB100N06S205ATMA445 057
10h
Arrow ElectronicsIPB100N06S205ATMA41 0001
Microchip USAIPB100N06S205ATMA4164600Tray
3d
Component Stockers USAIPB100N06S205ATMA45 303
1d
Win Source
2
WS-IPB100N06S2-058 00020
11h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPB100N06S205ATMA4.

IHS

Datasheet8 pagesIl y a 20 ans

TME

iiiC

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Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-03-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30

Pièces détachées

InfineonIPB80N06S2LH5ATMA4
55V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
Détails
InfineonIPB120N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK / N-Channel 40 V 120A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Détails
VishaySQM110N05-06L_GE3
SQM110N05-06L Series 55 V 110 A Automotive N-Channel Mosfet - TO-263-3
Détails
InfineonAUIRFS3306TRL
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Détails
VishaySUM90N04-3M3P-E3
Single N-Channel 40 V 0.0033 O 87 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Détails
Diodes Inc.DMTH6004SCTB-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-263Ab Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB100N06S205ATMA4 fournies par ses distributeurs.

55V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Verical
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 4.8pF 100volts C0G +/-0.25pF
Utmel Electronic
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 55V, To-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(On):0.0037Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB100N06S205ATMA4
Newark
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
Infineon

Images

TME
Farnell
Future Electronics
Rochester Electronics
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB100N06S2-05
  • IPB100N06S205ATMA1
  • SP001067896