Infineon IPB081N06L3GATMA1

In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1
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DistributorSKUMinPkg
NewarkIPB081N06L3GATMA19551
Arrow ElectronicsIPB081N06L3GATMA11 1381
RutronikTMOSP89463 0001K
17h
DigiKey
3
IPB081N06L3GATMA1CT-ND5 3021Cut Tape
Future Electronics
2
IPB081N06L3GATMA101KTape & Reel

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 13 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIPB057N06NATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 45 A, 0.0049 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Détails
InfineonSPB18P06PGATMA1
MOSFET, P-CH, 60V, 18.7A, TO-263; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drai
Détails
Rochester ElectronicsIPB093N04LG
Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
onsemiFDB070AN06A0
N-Channel 60 V 7 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet D2PAK-3
Détails
onsemiFQB27P06TM
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -60 V, -27 A, 70 mΩ, D2PAK
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB081N06L3GATMA1 fournies par ses distributeurs.

In a Pack of 25, N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IPB081N06L3GATMA1
Fly-Wing Technology
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0067 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger.In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Infineon
MOSFET, N CH, 50A, 60V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):6.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; Power Dissipation Pd:79W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:79W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC

Images

TME
Farnell
RS
TME
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Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB081N06L3 G
  • IPB081N06L3G
  • IPB081N06L3GXT
  • SP000398076