Infineon IPB055N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Obsolete
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
FarnellIPB055N03LGATMA101
23h
Win Source
2
WS-7387421 0108
1d
Worldway ElectronicsIPB055N03LGATMA118 0947Tape & Reel
23h
AztechIPB055N03LGATMA16 250
20h
SHENGYU ELECTRONICS
2
IPB055N03LG15 3241
2d

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet10 pagesIl y a 15 ans

iiiC

Farnell

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-11-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-11-15
LTD Date2020-05-15

Pièces détachées

onsemiFDB6670AL
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
onsemiFDB7030BL
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 60A, 9mΩ
Détails
onsemiFDB8896
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 93A, 5.7mΩ
Détails
InfineonIRF3707ZSPBF
IRF3707ZSPBF N-channel MOSFET Transistor, 59 A, 30 V, 3-Pin D2PAK
Détails
InfineonIRL8113SPBF
IRL8113SPBF N-channel MOSFET Transistor, 105 A, 30 V, 3-Pin D2PAK
Détails
onsemiFDB6690S
30V/20V, 15.5/23MO, NCH, SINGLE, TO263, 500A GOX, PTI
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB055N03LGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
IHS
MOSFET, N CH, 50A, 30V, PG-TO263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:68W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:68W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
With the new OptiMOS 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. | Summary of Features: Ultra low gate and output charge; Lowest on-state resistance in small footprint packages; Easy to design in | Benefits: Increased battery lifetime; Improved EMI behavior making external snubber networks obsolete; Saving costs; Saving space; Reducing power losses | Target Applications: Onboard charger; Notebook; Mainboard; DC-DC; VRD/VRM; Motor control; LED
Infineon

Images

RS
TME
TME
Farnell
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB055N03L G
  • IPB055N03LG
  • SP000304110