Infineon IPB027N10N5ATMA1

Mosfet, N-Ch, 100V, 166A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB027N10N5ATMA1
$ 2.128
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IPB027N10N5ATMA1.

IHS

Datasheet11 pagesIl y a 0 an

TME

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-16.59%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IPB027N10N5ATMA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonAUIRFS4310
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
100V, N-Ch, 3.5 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 110A, 2.4mΩ
STMicroelectronicsSTH150N10F7-2
N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB027N10N5ATMA1 fournies par ses distributeurs.

Mosfet, N-Ch, 100V, 166A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB027N10N5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 166A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in D2PAK package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 100V, 166A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:166A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; P
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET IPB027N10N5 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB027N10N5
  • SP001227034