Infineon IPB026N10NF2SATMA1

Name: Infineon IPB026N10NF2SATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB026N10NF2SATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 162 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

$ 1.787

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Avnet	IPB026N10NF2SATMA1	800	800					1,256	1,210	13h
Arrow Electronics	IPB026N10NF2SATMA1	800	1		2,162	2,162	2,162	2,162	2,162
Future Electronics	IPB026N10NF2SATMA1	800	800	Tape & Reel				1,380	1,350
Rutronik	STDMOS1473	15	1					1,990	1,590	18h
Rochester Electronics	IPB026N10NF2SATMA1	7 200					1,620	1,450	1,360	11h

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 0 an

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Germany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2022-09-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB026N10NF2SATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 162 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

EBV Elektronik

Mosfet, N-Ch, 100V, 162A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB026N10NF2SATMA1

Newark

Power Field-Effect Transistor, 162A I(D), 100V, 0.00265ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V features low RDS(on) of 2.6 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

Infineon

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Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :