Infineon IPB020N10N5ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 176 A, 2 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
$ 2.63
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPB020N10N5ATMA11 4551Cut Tape
Arrow ElectronicsIPB020N10N5ATMA12 1411
Future Electronics
2
IPB020N10N5ATMA18 0001KTape & Reel
Rochester ElectronicsIPB020N10N5ATMA1993
8h
DigiKey
3
IPB020N10N5ATMA1CT-ND22 3401Cut Tape

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIPB100N10S305ATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Détails
InfineonAUIRFS4310
Automotive Q101 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Détails
VishaySQM100N10-10_GE3
Trans MOSFET N-CH 100V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Détails
InfineonIPB020N08N5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 173A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Détails
onsemiFDB86360-F085
FDB86360 Series 80 V 110 A 1.8 mOhm N-Ch Power Trench Mosfet - D²PAK (TO-263AB)
Détails
STMicroelectronicsSTH150N10F7-2
N-channel 100 V, 0.0038 Ohm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IPB020N10N5ATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 176 A, 2 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
Avnet
IPB020N10N5 Series 100 V 2 mOhm 176 A OptiMOSTM5 Power Transistor - PG-TO 263-3
Future Electronics
OptiMOS™ 5 100V power MOSFET in D2PAK package with 22% lower RDS(on) for telecom and server power supply applications, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Mosfet, N-Ch, 100V, 120A, 175Deg C, 375W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB020N10N5ATMA1
Newark
OptiMOS™ 5 100 V power MOSFET IPB020N10N5 from Infineon is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hotswap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices, one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.
Infineon

Images

Farnell
TME
Farnell
RS APAC
Future Electronics
RS
UTSource
Rochester Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IPB020N10N5
  • SP001132558