Infineon IPAN60R125PFD7SXKSA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginAustria, Germany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-10-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IPAN60R125PFD7SXKSA1 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Mosfet, N-Ch, 600V, 25A, To-220Fp Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPAN60R125PFD7SXKSA1
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
INFINEON MOSFET IPAN60R125PFD7SXKSA1
RS APAC
MOS, Vds=650 V, 66 A, PG-TO 220
The 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET (IPAN60R125PFD7S) complements the CoolMOS™ 7 offering for consumer applications. The IPAN60R125PFD7S in a TO-220 FullPAK narrow-lead package features RDS(on) of 125mOhm leading to low switching losses. The products come with a fast body diode ensuring a robust device and in turn reduced bill-of-material (BOM) for the customer.This product family is tailored to ultrahigh power density as well as highest efficiency designs. The products primarily address ultrahigh density chargers, adapters and low-power motor drives. The 600V CoolMOS™ PFD7 offers improved light- and full-load efficiency over CoolMOS™ P7 and CE MOSFET technologies resulting in an increase in power density by 1.8W/inch3.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation32 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation32 W
Turn-Off Delay Time69 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height18.01 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité