Infineon IMZA65R057M1HXKSA1

Name: Infineon IMZA65R057M1HXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IMZA65R057M1HXKSA1

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247

$ 4.36

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

Distributeurs agréés

Distributeurs de solutions de stockage non agréés

Revendeurs non agréés

Voir tous les prix

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	25AK0777	119	1		9,750	6,700	6,360	6,130	6,130	2d
Newark		IMZA65R057M1HXKSA1	134	1		6,690	6,690	6,350	6,120	6,120
Arrow Electronics	2	IMZA65R057M1HXKSA1	479	1		7,871	7,871	7,871	7,871	7,871
Rochester Electronics		IMZA65R057M1HXKSA1	24					3,810	3,410	3,210	22h
DigiKey		448-IMZA65R057M1HXKSA1-ND	15	1	Tube	9,280	9,280	5,423	3,956	3,813

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois : -39.38%

Modèles CAO

Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP

Pièces de rechange

0 composant disponible

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon IMZA65R057M1HXKSA1.

IHS

Datasheet15 pagesIl y a 0 an

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:

-39.38%

Powered by

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon IMZA65R057M1HXKSA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCE	ECAD	MCAD	FICHIERS
Component Search Engine	SymboleEmpreinte	3D	Télécharger

Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.

En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2021-03-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Descriptions

Descriptions de Infineon IMZA65R057M1HXKSA1 fournies par ses distributeurs.

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 35 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-247

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 650V, 0.074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

Sic Mosfet, N-Ch, 650V, 35A, To-247-4; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:133W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMZA65R057M1HXKSA1

Newark

CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device’s performance, robustness, and ease of use. The IMZA65R057M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is built on a state-of-the-art trench semiconductor, optimized to allow no compromises in getting both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.Infineon’s SiC MOSFET in TO247 4-pin package reduces parasitic source inductance effects on the gate circuit enabling faster switching and increased efficiency.

Infineon

Images

RS

element14 APAC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :