Infineon IMBG65R072M1HXTMA1

Name: Infineon IMBG65R072M1HXTMA1
Brand: Infineon
SKU: IMBG65R072M1HXTMA1

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263

$ 3.589

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IMBG65R072M1HXTMA1	953	1		6,439	5,114	3,845	3,654	3,654
Rochester Electronics		IMBG65R072M1HXTMA1	2 677					3,140	2,810	2,640	11h
DigiKey	2	448-IMBG65R072M1HXTMA1CT-ND	959	1	Cut Tape	8,010	5,429	3,967	3,844	3,844
Newark		IMBG65R072M1HXTMA1	0	1	Cut Tape	7,260	5,810	4,700	3,700	3,700
Avnet		IMBG65R072M1HXTMA1	0	1K					3,589	3,221	13h

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2022-01-11

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 weeks ago)

Descriptions

Descriptions de Infineon IMBG65R072M1HXTMA1 fournies par ses distributeurs.

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-263

EBV Elektronik

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 650V, 0.094ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263

IHS

Sic Mosfet, N-Ch, 650V, 33A, To-263-7; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. Of Pins:7Pins; Rds(On) Test Voltage:18V; Power Dissipation:140W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IMBG65R072M1HXTMA1

Newark

CoolSiC™ MOSFET technology leverages the strong physical characteristics of silicon carbide, adding unique features that increase the device performance, robustness, and ease of use. The IMBG65R072M1H CoolSiC™ MOSFET 650V is a compact SMD 7 pin SiC MOSFET built on a state-of-the-art Infineon SiC trench technology and used in mid power applications. It is optimized to enable max system performance, compactness and reliability.

Infineon

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :