Infineon IKW75N65RH5XKSA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2020-07-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descriptions
Descriptions de Infineon IKW75N65RH5XKSA1 fournies par ses distributeurs.
Infineon IKW75N65RH5XKSA1 Single IGBT Transistor Module, 75 A 650 V PG-TO247-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT, 650 V, 80 A, 395W, To-247, 1.65 Vsat
Trans IGBTChip N-CH 650V 80A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
晶体管, IGBT, 650V, 80A, 395W, TO-247;
IGBT 650V 75A +SIC-DIODE TO-247
Igbt, Single, 650V, 80A, To-247; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.65V; Power Dissipation:395W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IKW75N65RH5XKSA1
650 V, 75 A TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiC™ Schottky barrier diode in TO-247-3 package.The ultra-fast 650 V hard-switching TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT benefits very low switching losses at switching speed above 30 kHz.Combination of ultra-fast TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT with half-rated freewheeling SiC Schottky barrier diodes in CoolSiC™ Hybrid discrete enables unprecedented reduction of total switching losses and allows to increase significantly switching frequency.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current80 A
Max Collector Current80 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation395 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Power Dissipation395 W
Turn-Off Delay Time180 ns
Turn-On Delay Time26 ns
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