Infineon IKD04N60RATMA1

“RC-D Fast”: RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency | IGBT 600V 8A 75W TO252-3
$ 0.419
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
DigiKey
3
IKD04N60RATMA1CT-ND2 7901Cut Tape
Arrow Electronics
2
IKD04N60RATMA12 5001
Future ElectronicsIKD04N60RATMA102500Tape & Reel
AvnetIKD04N60RATMA102500
4h
Mouser726-IKD04N60RATMA11 7341Tape & Reel

Fiches techniques et documents

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2013-06-15
LTD Date2013-12-15

Pièces détachées

onsemiSGR6N60UFTM
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.6V @ 15V 3A 6A 30W 15ns/60ns
Détails
onsemiSGR6N60UFTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.6V @ 15V 3A 6A 30W 15ns/60ns
Détails
STMicroelectronicsSTGD3NB60FT4
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA
Détails
onsemiFGD3N60UNDF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Détails
InfineonIRG4RC10KDTRPBF
IRG4RC10K Series 600 V 9 A Surface Mount UltraFast Speed IGBT - TO-252AA
Détails
InfineonIRG4RC10UDPBF
Infineon IRG4RC10UDPBF IGBT, 8.5 A 600 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IKD04N60RATMA1 fournies par ses distributeurs.

“RC-D Fast”: RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency | IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Win Source
600 V 8 A 75 W Surface Mount IGBT Trench Field Stop - PG-TO252-3
Future Electronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
IHS
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
Digi-ic_SMART PIONEER
IGBT WITHOUT ANTI-PARALLEL DIODE
Vigor Components
IGBT TRENCH/FS 600V 8A TO252-3
Augswan
RC-Drives IGBT technology has been developed by Infineon as a cost optimized solution for sensitive consumer drives market. This basic technology provides outstanding performance for permanent magnet synchronous and brushless DC motor drives.
Infineon
IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252; DC Collector Current: 4A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.1V; Power Dissipation Pd: 75W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-252; No. of Pins: 3Pins; O
Farnell

Images

TME
element14 APAC
Farnell
LZChips
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IKD04N60R
  • IKD04N60RBTMA1
  • SP000623346
  • SP000964626