Infineon IGW30N65L5XKSA1

650V, 30A, TO-247-3 Low VCE(sat) IGBT in TRENCHSTOP 5 technology
$ 1.86
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
NewarkIGW30N65L5XKSA13201
Arrow ElectronicsIGW30N65L5XKSA12401
Rochester ElectronicsIGW30N65L5XKSA110
2h
DigiKeyIGW30N65L5XKSA1IN-ND4801Tube
Future ElectronicsIGW30N65L5XKSA10240Tube

Fiches techniques et documents

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonIKW30N65EL5XKSA1
IGBT 650V 30A FAST DIODE TO247-3 / IGBT 650 V 85 A 227 W Through Hole PG-TO247-3
Détails
InfineonIKW30N65NL5XKSA1
Trans IGBT Chip N-CH 650V 85A 3-Pin TO-247 Tube
Détails
onsemiNGTG35N65FL2WG
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Détails
InfineonIKW40N65ES5XKSA1
IGBT Modules; IKW40N65ES5; INFINEON TECHNOLOGIES; 240; 650 V; 1.35 V; Halogen Free
Détails
onsemiNGTB35N65FL2WG
IGBT, 650V 35A FS2 Solar/UPS 650V/35A FAST IGBT FSII TO-247
Détails
onsemiFGH40N65UFDTU
Trans IGBT Chip N=-CH 650V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AB Tube
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IGW30N65L5XKSA1 fournies par ses distributeurs.

650V, 30A, TO-247-3 Low VCE(sat) IGBT in TRENCHSTOP 5 technology
Future Electronics
Infineon’s new L5 low saturation voltage (V CE(sat)) TRENCHSTOP™ IGBT family has been specifically optimized for low switching frequencies ranging from 50Hz to 20kHz. Optimization of the carrier profile of the innovative 55µm TRENCHSTOP™ 5 thin wafer technology allows to reduce conduction losses to the intrinsically low level – 1.05V for 30A IGBT and 1.10V for 75A IGBT.
Infineon
IGBT, SINGLE, 650V, 85A, TO-247; DC Collector Current: 85A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.05V; Power Dissipation Pd: 227W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins
Farnell
Igbt, Single, 650V, 85A, To-247; Continuous Collector Current:85A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.05V; Power Dissipation:227W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IGW30N65L5XKSA1
Newark

Images

Newark
Farnell
TME
Future Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • IGW30N65L5
  • SP001174472