Infineon IGP30N65H5XKSA1

Name: Infineon IGP30N65H5XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IGP30N65H5XKSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

$ 0.979

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IGP30N65H5XKSA1	7 340			1,180	0,979	0,873	4h
Avnet		IGP30N65H5XKSA1	0	500					7h
Farnell		IGP30N65H5XKSA1	0	500			0,993*	0,993*	4h
Microchip USA		IGP30N65H5XKSA1	1 433	600	Tube		2,304	2,304	1h
Verical	3	IGP30N65H5XKSA1	280	255			1,224	1,092

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-06-11

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2026-03-15

LTD Date2026-09-15

Pièces détachées

InfineonIGP30N65F5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Détails

InfineonIKP30N65H5XKSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

Détails

InfineonIKP20N65H5XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Détails

STMicroelectronicsSTGP30M65DF2

STGP30M65DF2: 650 V 60 A 258 W Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220AB

Détails

STMicroelectronicsSTGP10M65DF2

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Détails

STMicroelectronicsSTGP19NC60HD

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IGP30N65H5XKSA1 fournies par ses distributeurs.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Verical

188W 1.65V 650V 55mA TO-220 , 10mm*440cm*9.25mm

UnikeyIC

IGP40N65 - DISCRETE IGBT WITHOUT

DigiKey Marketplace

Infineon’s new TRENCHSTOP™5 IGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.

Infineon

Igbt, Single, 650V, 55A, To-220; Dc Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.65V; Power Dissipation Pd:188W; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:650V; Transistor Case Style:To-220; No. Of Pins:3Pins; Rohs Compliant: Yes |Infineon IGP30N65H5XKSA1

Newark

Images

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :