Infineon IGP20N60H3XKSA1

Name: Infineon IGP20N60H3XKSA1
Brand: Infineon
SKU: IGP20N60H3XKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

$ 0.838

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	IGP20N60H3XKSA1	545	1		2,510	2,510	2,510	2,510	2,510
Arrow Electronics	IGP20N60H3XKSA1	500	1		0,838	0,838	0,838	0,838	0,838
Rochester Electronics	IGP20N60H3XKSA1	1 567					0,817	0,678	0,604	15h
DigiKey	IGP20N60H3XKSA1-ND	24	1	Tube	2,340	2,340	2,340	2,340	2,340
Avnet	IGP20N60H3XKSA1	0	1K							18h

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Datasheet14 pagesIl y a 15 ans

IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2010-02-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)

LTB Date2026-03-15

LTD Date2026-09-15

Pièces détachées

STMicroelectronicsSTGP20V60F

V Series 600 V 20 A Flange Mount Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-220

Détails

InfineonIKP20N60TXKSA1

600 V IGBT with anti-parallel diode in TO220 package, PG-TO220-3, RoHS

Détails

InfineonIKP15N60TXKSA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 26A 130mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Détails

onsemiFGP15N60UNDF

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 178000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube / IGBT 600V 30A 178W TO220-3

Détails

onsemiFGP20N6S2

Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

Détails

onsemiFGP20N6S2D

Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon IGP20N60H3XKSA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Infineon IGP20N60H3XKSA1 IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin PG-TO220-3, Through Hole

TodayComponents

Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

IHS

High speed 600 V, 20 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO220 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

Infineon

IGBT,600V,20A,TO220; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:2.4V; Power Dissipation Pd:170W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Power Dissipation Max:170W

element14 APAC

Images

Farnell

TME

RS APAC

Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :