Infineon FZ900R12KP4HOSA1

Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
$ 115.41
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
NewarkFZ900R12KP4HOSA1201
Rochester ElectronicsFZ900R12KP4HOSA12
23h
DigiKey448-FZ900R12KP4HOSA1-ND91Tray
AvnetFZ900R12KP4HOSA1010
2d
Future ElectronicsFZ900R12KP4HOSA1010Tray

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon FZ900R12KP4HOSA1.

Infineon

Datasheet1 pageIl y a 14 ans

IHS

iiiC

_legacy Avnet

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
+67.86%
Powered bySpectra logo

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-02-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonFZ600R12KE3HOSA1
62 mm 1200 V, 600 A single switch IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and Emitter Controlled 3 Diode.
Détails
MicrochipAPTGT600U120D4G
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2500000mW 4-Pin Case D-4 Box
Détails
InfineonFZ400R12KE3HOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 650A 2250000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray
Détails
InfineonFZ600R12KS4HOSA1
62 mm 1200 V, 600 A single switch IGBT module with IGBT2 fast for high-frequency switching.
Détails
MicrochipAPTGT600A60G
APTGT600x Series 600 V 700 A Trench + Field Stop IGBT® Power Module - SP6
Détails
MicrochipAPTGT600U170D4G
Pm-Igbt-Tfs-D4 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT600U170D4G
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon FZ900R12KP4HOSA1 fournies par ses distributeurs.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IHS
1200 V, 900 A 62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4
Future Electronics
Our well-known 62 mm 1200 V single switch IGBT modules with IGBT4 are the right choice for your design, AG-62MM-2, RoHS
Infineon SCT
IGBT MODULE, 1.2KV, 900A, MODULE;
element14 APAC
Igbt, 1.2Kv, 900A, Module; Continuous Collector Current:900A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.05V; Power Dissipation:-; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Tab; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies FZ900R12KP4HOSA1
Newark
Our well-known 62 mm 1200V single switch IGBT modules with IGBT4 are the right choice for your design. | Summary of Features: Superior solution for frequency controlled inverter drives; UL/CSA Certification with UL1557 E83336; Operating temperature up to 150 C; Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses; Existing packages with higher current capability; RoHS compliant | Benefits: Flexibility; Optimal electrical performance; Highest reliability | Target Applications: drives; solar; cav; ups; induction-heating; welding
Infineon

Images

Infineon
iiiC
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FZ900R12KP4
  • SP000524484