Infineon FF450R12KT4HOSA1

IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
$ 146.91
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Future ElectronicsFF450R12KT4HOSA13010Tray
Arrow ElectronicsFF450R12KT4HOSA1301
DigiKey448-FF450R12KT4HOSA1-ND5961Tray
RS (Formerly Allied Electronics)FF450R12KT4010Bulk
14h
AvnetFF450R12KT4HOSA1010
5d

Fiches techniques et documents

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Datasheet9 pagesIl y a 0 an

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-01-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonBSM300GB120DLC
Insulated Gate Bipolar Transistor, 625A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Détails
InfineonFZ400R12KE3HOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 650A 2250000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray
Détails
InfineonBSM200GB120DLC
Insulated Gate Bipolar Transistor, 420A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Détails
MicrochipAPTGT400DU120G
Trans IGBT Module N-CH 1200V 560A 1785000mW 7-Pin Case SP-6 Tube
Détails
MicrochipAPTGT35X120T3G
Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 208000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Détails
MicrochipAPTGT150DU120G
Trans IGBT Module N-CH 1200V 220A 690000mW 7-Pin Case SP-6 Tube
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon FF450R12KT4HOSA1 fournies par ses distributeurs.

IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 580 A, 1.75 V, 2.4 kW, 1.2 kV, Module
Newark
Infineon FF450R12KT4HOSA1 Series IGBT Module, 580 A 1200 V, 3-Pin 62MM Module, Panel Mount
TodayComponents
Trans IGBT Module N-CH 1200V 580A 2400000mW 7-Pin 62MM-1 Tray / IGBT MODULE 1200V 450A
Win Source
FF450R12KT4 Series 1200 V 580 A Trench Field-Stop IGBT Module
Future Electronics
62mm C-series 1200 V, 450 A dual IGBT module with fast TRENCHSTOP™ IGBT4 and optimized Emitter Controlled diode. Also available with pre-applied Thermal Interface Material.
Infineon
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.75V, 580A; Transistor Polarity: Dual NPN; DC Collector Current: 580A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.75V; Power Dissipation Pd: 2.4kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Trans
Farnell

Images

RS
Augswan
TME
element14 APAC
Farnell
LZChips
iiiC
UTSource
Galco

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FF450R12KT4
  • SP000370613