Infineon FF150R17KE4HOSA1

IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 250 A, 1.95 V, 1.1 kW, 1.7 kV, Module
$ 78.641
Production
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsFF150R17KE4HOSA1141
Rochester ElectronicsFF150R17KE4HOSA12
4h
DigiKey448-FF150R17KE4HOSA1-ND91Tray
AvnetFF150R17KE4HOSA1010
6h
Future ElectronicsFF150R17KE4HOSA1010Tray

Fiches techniques et documents

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Infineon

Datasheet1 pageIl y a 14 ans

IHS

Newark

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginHungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

Pièces détachées

InfineonBSM100GB170DLC
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel
Détails
MicrochipAPTGT50SK170T1G
Trans IGBT Module N-CH 1700V 75A 312000mW 12-Pin Case SP-1 Tube
Détails
InfineonFS150R12PT4BOSA1
Infineon FS150R12PT4BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V Module, Panel Mount
Détails
InfineonBSM200GA120DN2
Insulated Gate Bipolar Transistor, 550A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
Détails
MicrochipAPTGT50A170T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT50A170T1G
Détails
MicrochipAPTGT100DU170TG
Pm-Igbt-Tfs-Sp4 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT100DU170TG
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon FF150R17KE4HOSA1 fournies par ses distributeurs.

IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 250 A, 1.95 V, 1.1 kW, 1.7 kV, Module
Newark
Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 1100000mW 7-Pin 62MM-1 Tray
Verical
Transistor IGBT Module N-CH 1700V 150A 20V Screw Mount Tray
Avnet
1700 V dual IGBT module, AG-62MM-1-7, RoHS
Infineon SCT
IGBT, 1700V, 150A, AG-62MMHB-411
Future Electronics
Insulated Gate Bipolar Transistor
IHS
IGBT MODULE, DUAL NPN, 1.95V, 150A; Transistor Polarity: Dual NPN; DC Collector Current: 250A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.95V; Power Dissipation Pd: 1.1kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.7kV; Trans
Farnell
Our well-known 62 mm 1700V dual IGBT modules are the right choice for your design. | Summary of Features: Extended Operation Temperature T vj op; Low V CEsat; Unbeatabel Robustness; V CEsat with positive Temperature Coefficient; Isolated Base Plate; Standard Housing; 4 kV AC 1 min Insulation; Package with CTI > 400; High Creepage and Clearance Distances | Benefits: Flexibility; Optimal electrical performance; Highest reliability | Target Applications: drives; wind; solar; traction
Infineon

Images

element14 APAC
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FF150R17 KE4
  • FF150R17KE4
  • SP000713524