Infineon FD200R12KE3HOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 5-Pin 62MM-1 Tray
$ 98.355
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Fiches techniques et documents

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Infineon

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Hungary
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-10-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Descriptions

Descriptions de Infineon FD200R12KE3HOSA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050000mW 5-Pin 62MM-1 Tray
Infineon FD200R12KE3HOSA1 IGBT Module, 295 A 1200 V Module, Panel Mount
62 mm 1200 V, 200 A chopper IGBT modules are the right choice for your design. Also available with pre-applied Thermal Interface Material.
Igbt Module, N-Ch, 1.2Kv, 295A; Transistor Polarity:N Channel; Dc Collector Current:295A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.7V; Power Dissipation Pd:1.05Kw; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:1.2Kv; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Infineon FD200R12KE3HOSA1

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FD200R12KE3
  • SP000083495