Infineon FD150R12RT4HOSA1

INFINEON FD150R12RT4 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV
$ 73.64
Obsolete
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsFD150R12RT4HOSA17 397
1d
FarnellFD150R12RT4HOSA101
8h
Microchip USAFD150R12RT4HOSA132550Tray
37m
Verical
2
FD150R12RT4HOSA11 44025
Win SourceWS-FD150R12RT4HOSA1201
9h

Fiches techniques et documents

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Infineon

Datasheet1 pageIl y a 14 ans

IHS

element14 APAC

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

InfineonBSM75GAR120DN2
Trans IGBT Module N-CH 1.2kV 75A nom 625W
Détails
InfineonFS75R12W2T4BOMA1
Infineon FS75R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 107 A 1200 V Module, Panel Mount
Détails
InfineonBSM50GB120DLC
Insulated Gate Bipolar Transistor, 115A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Détails
MicrochipAPTGF100DA120TG
Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 568000mW 20-Pin Case SP-4
Détails
MicrochipAPTGT35A120T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT35A120T1G
Détails
MicrochipAPTGT50A120T1G
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT50A120T1G
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon FD150R12RT4HOSA1 fournies par ses distributeurs.

INFINEON FD150R12RT4 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV
Jak Electronics
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 5-Pin 34MM-1 Tray
Verical
Transistor IGBT Module N-CH 1200V 150A ±20V Screw Tray
Avnet Japan
Infineon FD150R12RT4HOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V
TodayComponents
IGBT Module, 1.2KV, 150A, MODULE
Newark
IGBT MOD 1200V 150A 790W / IGBT Module Trench Field Stop Single Chopper 1200 V 150 A 790 W Chassis Mount Module
Win Source
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel
IHS
IGBT, MED POW, FD CHO, 1200V, 125A
Farnell
Our well-known 34 mm 1200V chopper IGBT modules with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode are the right choice for your design. | Summary of Features: Extended Operation Temperature T vj op; Low Switching Losses; Low V CEsat; T vj op = 150C; V CEsat with positive Temperature Coefficient; Isolated Base Plate; Standard Housing | Benefits: Flexibility; Optimal electrical performance; Highest reliability | Target Applications: drives; solar; cav; ups; induction-heating; welding
Infineon
IGBT, MED POW, FD CHO, 1200V, 125A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Voltage Vces:1.75V; Power Dissipation Pd:790W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +150°C; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Module Configuration:Single; Power Dissipation Max:790W
element14 APAC

Images

RS
LZChips
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • FD150R12RT4
  • SP000711858