Infineon BSZ050N03MSGATMA1

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.0038 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
$ 0.289
Production
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsBSZ050N03MSGATMA1334 176
13h
DigiKey
2
BSZ050N03MSGATMA1CT-ND2061Cut Tape
Future Electronics
2
BSZ050N03MSGATMA105KTape & Reel
AvnetBSZ050N03MSGATMA105K
3d
Arrow ElectronicsBSZ050N03MSGATMA105K

Fiches techniques et documents

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Datasheet9 pagesIl y a 15 ans

Infineon SCT

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

onsemiFDS8813NZ
N-Channel 30 V 4.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Détails
onsemiFDMS0312S
MOSFET, N CH, 30V, 42A, POWER 56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drai
Détails
InfineonIRF8113GPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Co
Détails
InfineonBSZ058N03MSGATMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON EP T/R
Détails
InfineonBSC883N03LSGATMA1
Transistor MOSFET N-CH 34V 98A 8-Pin TDSON Tube
Détails
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSZ050N03MSGATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.0038 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
EBV Elektronik
30V 15A 2.1W 4.5m´Î@10V20A 2V@250Ã×A N Channel PG-TSDSON-8 MOSFETs ROHS
Dasenic
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin TSDSON T/R
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0057ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET
Win Source
2.1W(Ta),48W(Tc) 20V 2V@ 250¦ÌA 46nC@ 10 V 1N 30V 4.5m¦¸@ 20A,10V 15A 3.6nF@15V TSDSON-8 3.3mm*3.3mm*1.1mm
UnikeyIC
MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
DigiKey
BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
DigiKey Marketplace
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
element14 APAC
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon

Images

Augswan
RS
TME
LZChips
Future Electronics
Rochester Electronics

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSZ050N03MS G
  • BSZ050N03MSG
  • SP000311518