Infineon BSZ014NE2LS5IFATMA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-04-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonIRFH4210DTRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
InfineonBSC018NE2LSATMA1
2.5W 20V 2V 39nC 1N 25V 1.8m¦¸@ 10V 100A 2.8nF@ 12V SON , 5.9mm*5.15mm*1.27mm
InfineonBSZ013NE2LS5IATMA1
Mosfet, N-Ch, 25V, 150Deg C, 69W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSZ013NE2LS5IATMA1
Descriptions
Descriptions de Infineon BSZ014NE2LS5IFATMA1 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin TSDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 25V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon MOSFET BSZ014NE2LS5IFATMA1
BSZ014NE2LS5IF INFINEON PG-TSDSON
With the OptiMOS™ 5 25V and 30V product family, Infineon offers benchmark solutions by enabling highest power density and energy efficiency, both in standby and full operation.
Mosfet, N-Ch, 25V, 40A, 150Deg C, 69W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSZ014NE2LS5IFATMA1
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)31 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Dual Supply Voltage25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.45 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max1.45 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height1 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité