Infineon BSM50GD120DN2BOSA1

Trans IGBT Module N-CH 1200V 72A 350000mW 17-Pin EconoPACK 2A
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

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IHS

Datasheet10 pagesIl y a 26 ans

Farnell

Newark

TME

iiiC

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-09-30
LTD Date2010-03-31

Pièces détachées

EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
Trans IGBT Module N-CH 1200V 78A 400000mW 7-Pin 34MM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 76A I(C), 1200V V(BR)CES
Trans IGBT Module N-CH 1200V 55A 208000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 270000mW 32-Pin Case SP-3 Tube
Pm-Igbt-Tfs-Sp1 Rohs Compliant: Yes |Microchip Technology APTGT35A120T1G

Descriptions

Descriptions de Infineon BSM50GD120DN2BOSA1 fournies par ses distributeurs.

Trans IGBT Module N-CH 1200V 72A 350000mW 17-Pin EconoPACK 2A
Transistor IGBT Module N-CH 1200V 72A 20V Screw Mount Tray
INFINEON BSM50GD120DN2 IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 72 A, 3 V, 350 W, 1.2 kV, EconoPACK
Insulated Gate Bipolar Transistor, 72A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3; Module Configuration:Six; DC Collector Current:72A; Collector Emitter Voltage Vces:3V; Power Dissipation Pd:350W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Transistor Case Style:Econopack 3; No. of Pins:17; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous a Max:50A; Current Temperature:80°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:6; Package / Case:Econopack 3; Power Dissipation Max:350W; Power Dissipation Pd:350W; Power Dissipation Pd:350W; Pulsed Current Icm:100A; Termination Type:Solder; Voltage Vce Sat Typ:2.5V; Voltage Vces:1.2kV

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSM 50 GD 120 DN2
  • BSM 50GD120 DN2
  • BSM50GD120DN2
  • SP000100359