Infineon BSC0902NSIATMA1

Trans Mosfet N-ch 30V 23A 8-PIN Tdson Ep T/r / Mosfet N-ch 30V 100A 8TDSON
$ 0.309
Production
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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSC0902NSIATMA15 0511Cut Tape
Arrow Electronics
3
BSC0902NSIATMA19 9091
Rochester ElectronicsBSC0902NSIATMA14 033
1d
DigiKey
3
BSC0902NSIATMA1CT-ND24 0651Cut Tape
AvnetBSC0902NSIATMA105K
3d

Fiches techniques et documents

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Newark

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-06-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Pièces détachées

onsemiFDMS7692
FDMS7692 Series 30 V 14 A 7.5 mOhm N-Ch PowerTrench® MOSFET - POWER 56-8
Détails
VishaySIRA12DP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 4.3 mOhm TrenchFET Gen IV Power Mosfet - PowerPAK SOIC-8
Détails
VishaySISA12ADN-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Détails
InfineonIRFH3707TRPBF
Single N-Channel 30 V 12.4 mOhm 5.4 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3 x 3 mm
Détails
VishaySI4156DY-T1-GE3
Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Détails
onsemiNTMFS4837NHT1G
N-Channel 30 V 75 A 5 mO Surface Mount Power Mosfet - SO-8FL (5x6)
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC0902NSIATMA1 fournies par ses distributeurs.

Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R / MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Win Source
MOSFET, N-CH, 30V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 48W; Transistor Case Style: TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 100 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 2.6 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 3.8 / Rise Time ns = 5.4 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 3.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TDSON-8 FL / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 48
Distrelec

Images

Farnell
TME
LZChips
RS APAC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BSC0902NSI
  • SP000854380