Infineon BSC059N04LS6ATMA1

Name: Infineon BSC059N04LS6ATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC059N04LS6ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 59 A, 0.0059 ohm, TDSON, Surface Mount

$ 0.436

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		BSC059N04LS6ATMA1	5 000	5K						0,331	4h
Newark	2	BSC059N04LS6ATMA1	8 985	5	Cut Tape		0,892	0,590	0,525	0,525
Arrow Electronics		BSC059N04LS6ATMA1	475	1		0,982	0,982	0,982	0,982	0,982
Future Electronics	2	BSC059N04LS6ATMA1	40 000	5K	Tape & Reel					0,625
Rochester Electronics		BSC059N04LS6ATMA1	1 453					0,424	0,352	0,314	2h

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Datasheet12 pagesIl y a 0 an

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-07-31

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)

Descriptions

Descriptions de Infineon BSC059N04LS6ATMA1 fournies par ses distributeurs.

Power MOSFET, N Channel, 40 V, 59 A, 0.0059 ohm, TDSON, Surface Mount

EBV Elektronik

OptiMO 6 40V power MOSFETs combining best-in-class RDS(on) with superior switching performance

Avnet Japan

Trans MOSFET N-CH 40V 17A 8-Pin TDSON EP T/R

Verical

38W 20V 2.3V 9.4nC@ 10V 2N 40V 7m¦¸@ 10V,60A 59A 830pF@20V TDSON-8-EP

UnikeyIC

MOSFET N-CH 40V 17A TDSON / N-Channel 40 V 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc) 3W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 40V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

40V, 59A, 5.9MOHM, N-CHANNEL, SuperSO8 5x6

Future Electronics

Mosfet, N-Ch, 40V, 59A, Tdson; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:59A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC059N04LS6ATMA1

Newark

The OptiMOS™ 6 power MOSFET 40 V family is optimized for a variety of applications and circuits, such as synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) in servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers and ORing circuits.Improvements in on-state resistance (RDS(on)) and figure of merits (FOM - RDS(on) x Qg and Qgd) enable designers to increase efficiency, allowing easier thermal design and less paralleling, leading to system cost reduction.

Infineon

Images

RS APAC

TME

LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :