Infineon BFR360FH6327XTSA1

BFR360F Series 9 V 35 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - TSFP-3
$ 0.135
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon BFR360FH6327XTSA1.

IHS

Datasheet15 pagesIl y a 7 ans

element14 APAC

element14

TME

Farnell

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-6.53%

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon BFR360FH6327XTSA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
SymboleEmpreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-07
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)

Pièces détachées

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Npn, 11 V, 3.2 Ghz, 150 Mw, 10 Ma, 56 Rohs Compliant: Yes |Rohm 2SC5662T2LP
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

Descriptions

Descriptions de Infineon BFR360FH6327XTSA1 fournies par ses distributeurs.

BFR360F Series 9 V 35 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - TSFP-3
:210mW; DC Collector Current:35mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Range:-60°C to +150°C; RF Transistor Case:TFSP; No. of Pins:3; SVHC:No
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 35 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 6 / DC Current Gain (hFE) = 120 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 15 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 14 / Power Dissipation (Pd) mW = 210 / Package Type = TSFP / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel
Transistor, RF TSFP3; Transistor Polarity:N Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:6V; Transition Frequency Typ ft:14GHz; Power Dissipation Pd:210mW; DC Collector Current:35mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Range:-60°C to +150°C; RF Transistor Case:TFSP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Associated Gain Ga:15.5dB; Continuous Collector Current Ic:35mA; Continuous Collector Current Ic Max:35mA; Current Ic Continuous a Max:35mA; Current Ic hFE:15mA; Gain Bandwidth ft Min:11GHz; Gain Bandwidth ft Typ:14GHz; Hfe Min:60; No. of Transistors:1; Noise Figure Typ:1dB; Output @ Third Order Intercept Point IP3:24dB; Package / Case:TSFP3; Power @ 1dB Gain Compression, P1dB:9dBm; Power Dissipation Ptot Max:210mW; SMD Marking:FB2; Termination Type:SMD; Test Frequency:1.8GHz; Transistor Case Style:TSFP; Voltage Vcbo:15V

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BFR 360F
  • BFR 360F H6327
  • BFR360F
  • BFR360F H6327
  • BFR360F,H6327
  • BFR360FH6327
  • SP000750428