Infineon BFR193FH6327XTSA1

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
$ 0.138
NRND
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DistributorSKUMinPkg
NewarkBFR193FH6327XTSA11545Cut Tape
Arrow Electronics
2
BFR193FH6327XTSA14 3631
Rochester ElectronicsBFR193FH6327XTSA187 097
8h
DigiKey
3
BFR193FH6327XTSA1CT-ND29 7061Cut Tape
Future ElectronicsBFR193FH6327XTSA103KTape & Reel

Fiches techniques et documents

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TME

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IHS

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date2012-09-04
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)

Pièces détachées

ROHMDTD543ZMT2L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
ROHMDTD543EMT2L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
ROHMDTD513ZMT2L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails
onsemiNSVBC846BM3T5G
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW Automotive 3-Pin SOT-723 T/R
Détails
ToshibaRN1102MFV,L3F
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
Détails
PanasonicDRC3143X0L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BFR193FH6327XTSA1 fournies par ses distributeurs.

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
IHS
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
Verical
RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSFP-3
Future Electronics
NPN 580mW 2V 100nA 20V 12V 80mA TSFP-3 1.2mm*800¦Ìm*550¦Ìm
UnikeyIC
Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 580mW; TSFP-3
Epart123
Transistor, Rf, Aec-Q101, Npn, Tsfp3; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:12V; Transition Frequency Ft:8Ghz; Power Dissipation Pd:580Mw; Dc Collector Current:80Ma; Dc Current Gain Hfe:70Hfe; Rf Transistor Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BFR193FH6327XTSA1
Newark
Transistor Polarity = NPN / Continuous Collector Current (Ic) mA = 80 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 12 / DC Current Gain (hFE) = 100 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 20 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 2 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency GHz = 8 / Power Dissipation (Pd) mW = 580 / Package Type = SOT-723 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel
Distrelec

Images

Infineon
Augswan
TME
LZChips
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BFR 193F H6327
  • BFR193F
  • BFR193F H6327
  • BFR193FH6327
  • SP000750424