Infineon BFP840ESDH6327XTSA1

BFP840ESD: 2.25 V 35mA Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
$ 0.229
NRND
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

Voir tous les prix
DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
BFP840ESDH6327XTSA13 0003K
12h
NewarkBFP840ESDH6327XTSA11651Cut Tape
Arrow ElectronicsBFP840ESDH6327XTSA12 8801
Rochester ElectronicsBFP840ESDH6327XTSA1642 625
9h
DigiKey
3
BFP840ESDH6327XTSA1CT-ND3 3841Cut Tape

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Infineon BFP840ESDH6327XTSA1.

IHS

Datasheet22 pagesIl y a 7 ans

element14 APAC

Burklin Elektronik

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois:
-0.46%
Powered bySpectra logo

Modèles CAO

Téléchargez les symboles Infineon BFP840ESDH6327XTSA1, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.

SOURCEECADMCADFICHIERS
Component Search Engine
SymboleEmpreinte
3DTélécharger
EE Concierge
SymboleEmpreinte
SnapEDA
Empreinte
Télécharger
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-04-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)

Pièces détachées

NXP SemiconductorsBFG410W,115
BFG410W Series 4.5 V 54 mW 22 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT343R
Détails
NXP SemiconductorsBFG310W/XR,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN ROHS3Compliant RF Transistor 60 @ 5mA 3V 10mA 60mW 18dB
Détails
NXP SemiconductorsBFU760F,115
2.8V 220mW 25mA 330@10mA2V 45GHz NPN +150¡Í@(Tj) SOT-343F Bipolar Transistors - BJT ROHS
Détails
NXP SemiconductorsBFU790F,115
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon Germanium, NPN
Détails
NXP SemiconductorsBFU710F,115
BFU710 Series NPN 5.5 V 10 mA Silicon Germanium RF Transistor - SOT-343F-4
Détails
NXP SemiconductorsBFG520W/X,115
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BFP840ESDH6327XTSA1 fournies par ses distributeurs.

BFP840ESD: 2.25 V 35mA Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
Future Electronics
The BFP840ESD is a discrete hetero-junction bipolar transistor (HBT) specifically designed for high performance 5 GHz band.
Infineon
RF TRANSISTOR, NPN, 2.25V, 80GHZ, SOT343; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 2.25V; Transition Frequency ft: 80GHz; Power Dissipation Pd: 75mW; DC Collector Current: 35mA; DC Current Gain hFE: 150hFE; RF Transistor Case: SOT-343; No. of Pins: 4Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell

Images

Infineon
Augswan
Newark
RS
Rochester Electronics
LZChips

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BFP 840ESD H6327
  • BFP840ESD
  • BFP840ESD H6327
  • BFP840ESDH6327
  • SP000943010