Infineon BF998E6327HTSA1
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginGermany, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1988-10-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-01-15
LTD Date2026-07-15
Pièces détachées
InfineonBG3130H6327XTSA1
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2N-Channel (Dual) LOW NOISE RF Mosfet 25mA 200mW 24dB 800MHz
InfineonBF2040E6814HTSA1
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descriptions
Descriptions de Infineon BF998E6327HTSA1 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 12 V Surface Mount Silicon Mosfet Tetrode - SOT-143
Transistor RF FET N-CH 12V 30mA 800MHz 4-Pin SOT-143 T/R
Avnet Japan
200mW +8V,+12V 2N 12V 30mA 2.1pF@ 8V @ Gate 1,1.2pF@ 8V @ Gate 2 TO-253-AA
Silicon N-Channel MOSFET Triode
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RF MOSFET N-Channel 12V 0.03A SOT143-4
RS APAC
RF MOSFET Transistors N-CH 12 V 30 mA
N-CH MOS TETRO 12V 30mA SOT143
12V 30mA N Channel PG-SOT143-4 MOSFETs ROHS
Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs
BF998 - RF SMALL SIGNAL TRANSIST
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 mA
Current Rating30 mA
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.2 pF
Max Frequency1 GHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Noise Figure1.8 dB
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)12 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité