Infineon BC856SH6327XTSA1

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
$ 0.072
EOL
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
BC856SH6327XTSA17 2255Cut Tape
Arrow ElectronicsBC856SH6327XTSA114 8361
Rochester ElectronicsBC856SH6327XTSA181 000
18h
AvnetBC856SH6327XTSA1012K
20h
Future Electronics
2
BC856SH6327XTSA103KTape & Reel

Fiches techniques et documents

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Farnell

Datasheet10 pagesIl y a 14 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-11-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2015-10-15
LTD Date2016-10-15

Pièces détachées

onsemiMUN5237DW1T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Détails
onsemiMUN5235DW1T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Détails
onsemiMUN5216DW1T1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Détails
onsemiMUN5212DW1T1
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Dual NPN, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
Détails
onsemiSBC847BPDW1T3G
100 Ma 45 V, Co-Packaged Npn And Pnp Bipolar Junction Transistor/ Reel |Onsemi SBC847BPDW1T3G
Détails
Diodes Inc.DIMD10A-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Détails

Descriptions

Descriptions de Infineon BC856SH6327XTSA1 fournies par ses distributeurs.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
IHS
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Verical
65V 250mW 250@10uA,5V 100mA PNP SOT-363-6 Bipolar (BJT) ROHS
EBEE
Dual PNP 65 V 100 mA 250 MHz 250 mW SMT Silicon AF Transistor Array - SOT-363
Future Electronics
Bipolar Trans, Dual Pnp, 65V, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BC856SH6327XTSA1
Newark
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363 / Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO
Win Source
TRANS, PNP, DUAL, -65V, SOT363; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-363; N
element14 APAC

Images

Infineon
Augswan
RS
element14 APAC
TME
iiiC

Alias du fabricant

Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • BC 856S
  • BC 856S H6327
  • BC856S
  • BC856S H6327
  • BC856SH6327
  • SP000747446