Infineon AUIRL7766M2TR
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-08-15
LTD Date2022-02-15
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD10NF10T4
N-channel 100 V, 0.115 Ohm typ., 13 A low gate charge STripFET II Power MOSFET in DPAK package
InfineonIRLR120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
InfineonIRLR120NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Descriptions
Descriptions de Infineon AUIRL7766M2TR fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A Automotive 9-Pin Direct-FET M4 T/R
T&R / Automotive DirectFET 2, 100V Logic Level 51A 10mOhm M Can
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, AUTO, N-CH, 100V, DIRECTFETM4
MOSFET N-CH 100V 51A DIRECTFET
A 100V Automotive Grade Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET M2 package rated at 51 amperes optimized with low on resistance for applications such as motor drive, high frequency DC-DC and other heavy load systems. Shipped in Tape and Reel o
MOSFET, AUTO, N-CH, 100V, DIRECTFETM4; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 51A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.008ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins9
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time49 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance5.305 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation62.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance10 mΩ
Package Quantity4800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max10 mΩ
Rise Time24 ns
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height740 µm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité