Infineon AUIRFSL8405
$ 3.66
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-11-15
LTD Date2021-05-15
Pièces détachées
InfineonIPI120N04S402AKSA1
40V, N-Ch, 2.1 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO262-3-3, RoHS
InfineonIPI120N04S401AKSA1
40V, N-Ch, 1.9 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO262-3-3, RoHS
STMicroelectronicsSTI400N4F6
N-channel 40 V, 120 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in I2PAK package
STMicroelectronicsSTI360N4F6
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
InfineonIPI90N04S402AKSA1
40V, N-Ch, 2.5 mΩ max, Automotive MOSFET, I2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO262-3-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de Infineon AUIRFSL8405 fournies par ses distributeurs.
Automotive Q101 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package, TO262-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 40V 193A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Brushed Motor Drive; Brushless Motor Drive; Electric Power Steering; Relay Replacement
MOSFET, 40V, 120A, Q101, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:163W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Resistance2.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time77 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.193 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation163 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance2.3 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation163 W
Rds On Max2.3 mΩ
Rise Time128 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité