Infineon 2N6788
$ 20.07
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
InfineonJANTX2N6788
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Descriptions
Descriptions de Infineon 2N6788 fournies par ses distributeurs.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:6A; On Resistance, Rds(on):0.3ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-205AF ;RoHS Compliant: No
MOSFET, N, TO-39; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:20W; Transistor Case Style:TO-39; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:76mJ; Current Id Max:6A; Current Temperature:25°C; External Length / Height:18.03mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Length:14.22mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-39; Power Dissipation Pd:20W; Power Dissipation Pd:20W; Pulse Current Idm:24A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Weight:0.0024kg
Alias du fabricant
Infineon possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Infineon peut également être connu sous les noms suivants :
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Spécifications techniques
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-39
Contact PlatingLead, Tin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.4 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Dual Supply Voltage100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
On-State Resistance300 mΩ
Power Dissipation20 W
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage4 V
Dimensions
Lead Length14.22 mm
Conformité
Classification environnementale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSNon-Compliant
Déclarations de conformité