Renesas HAT2019R

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
Page du fabricantFiche technique

Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Win SourceWS-HAT2019R32 4007
16h
Antdic ElectronicsHAT2019R16 676
5d
ICPartonlineHAT2019R10 016
2d
AnlinkdaHAT2019R44 092
23h
SHENGYU ELECTRONICSHAT2019R6 7861
3d

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Renesas HAT2019R.

IHS

Datasheet9 pagesIl y a 25 ans

Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-02-01

Descriptions

Descriptions de Renesas HAT2019R fournies par ses distributeurs.

Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
Win Source
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
IHS

Alias du fabricant

Renesas possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Renesas peut également être connu sous les noms suivants :

  • Renesas Electronics
  • Renesas Electronics America Inc
  • Renesas Electronics America
  • RENESA
  • REN
  • RENES
  • RENESAS TECHNOLOGY CORP
  • RENESAS TECHNOLOGY
  • Renesas Electronics Corporation
  • RENESAS ELECTRONICS CORP
  • RENSAS
  • RENASAS
  • Renesas / Intersil
  • RNS
  • RENESAS-PB
  • RENESASTEC
  • RENESES
  • Renesas Technology America
  • Renesas Design Germany GmbH
  • Renesas / IDT
  • RENESASE
  • RENESAS TECHNOLOGY HONG KONG
  • Renesas Electronics Operations Services Limited
  • RENEASAS
  • RENESAS/M