GaN Systems GS61008T-MR
$ 4.51
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | GS61008T-MR | 0 | 250 | |||||||||
| Component Stockers USA | GS61008T-MR | 3 746 | >1wk | |||||||||
| XScomponents | GS61008T-MR | 0 | 3K | 3h |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Descriptions
Descriptions de GaN Systems GS61008T-MR fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin GaNPX T/R
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Gallium Nitride, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
GaN Systems possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. GaN Systems peut également être connu sous les noms suivants :
- GAN SYSTEMS INC
- GaNPower
- GaN Systems / Infineon
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Dimensions
Height621 µm
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