Fuji 7MBR50SB120-50

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Obsolete
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Datasheet16 pagesIl y a 20 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Descriptions

Descriptions de Fuji 7MBR50SB120-50 fournies par ses distributeurs.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
IHS
PIM 7PK IGBT MOD +I/P BR 50A 1200V NPT
element14 APAC
PIM 7PK IGBT MOD +I/P BR 50A 1200V NPT; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.7V; Power Dissipation Pd: 360W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Tra
Farnell
Igbt, 1.2Kv, 75A, Module; Continuous Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.1V; Power Dissipation:360W; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Press Fit; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |FUJI ELECTRIC 7MBR50SB-120-50
Newark

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element14 APAC
UTSource
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Alias du fabricant

Fuji possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Fuji peut également être connu sous les noms suivants :

  • FUJ
  • FUJI ELECTRIC
  • FUJIT
  • FDK
  • FUJI ELEC
  • FUJI SEMI
  • FME
  • FUJI ELECT
  • FUJI ELECTRONICS AME
  • FUJI ELECTRI
  • FUJI COM
  • FJTSU
  • FUJ-OKI
  • FUJ/AMD
  • FUJ/WDC
  • FUJ/YE
  • FUJI T&R
  • FUJ/MO
  • FUJI XERO
  • FUJTSU
  • Fuji Electric Corp of America
  • Fuji/NEW
  • Fuji Device Technology America
  • FUJICORPORATION
  • FUJIDENKI

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • 7MBR50SB-120-50