onsemi FDPF035N06B_F152
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-05-13
LTD Date2021-11-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
InfineonIPA032N06N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 84 A, 2.6 Milliohms, TO-220, 3 Pins, Through Hole
onsemiFDPF041N06BL1
MOSFET N-CH 60V 77A TO-220F / Trans MOSFET N-CH Si 60V 77A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
InfineonIRFB7540PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi FDPF035N06B_F152 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 60V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
Power Field-Effect Transistor, 88A I(D), 60V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N-Channel PowerTrench® MOSFET
RAIL/PT7 60V 3.5MOHM TO-220F
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.270003 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)88 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance8.03 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation46.3 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation46.3 W
Rds On Max3.5 mΩ
Rise Time33 ns
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité