Diodes Inc. ZXTN19100CFFTA

Trans Gp Bjt NPN 100V 4.5A 16000MW 3-PIN SOT-23F T/r / Trans NPN 100V 4.5A SOT23F-3
$ 0.333
Production
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Prix et stock

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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
ZXTN19100CFFTA7185Cut Tape
VericalZXTN19100CFFTA12 0003K
Arrow ElectronicsZXTN19100CFFTA12 0003K
DigiKey
2
ZXTN19100CFFCT-ND3141Cut Tape
TME
2
ZXTN19100CFFTA2 7631
18h

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Diodes Inc. ZXTN19100CFFTA.

Newark

Datasheet7 pagesIl y a 10 ans

IHS

Diodes Inc SCT

Future Electronics

iiiC

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.ZXTN25020CFHTA
Trans GP BJT NPN 20V 4.5A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R / TRANS NPN 20V 4.5A SOT23-3
Détails
onsemiCPH3240-TL-E
Bipolar Transistor, (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3. ONSSPCDDENY1E7M;
Détails
Diodes Inc.ZXTN07045EFFTA
Trans GP BJT NPN 45V 4A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R / TRANS NPN 45V 4A SOT23F-3
Détails
Toshiba2SC3324-BL(TE85L,F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN
Détails
Diodes Inc.ZXTN2018FTA
60V 1.2W 100@2A,1V 5A NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Détails
ROHMBC817-25T116
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Détails

Descriptions

Descriptions de Diodes Inc. ZXTN19100CFFTA fournies par ses distributeurs.

Trans GP BJT NPN 100V 4.5A 16000mW 3-Pin SOT-23F T/R / TRANS NPN 100V 4.5A SOT23F-3
Win Source
1.5W 4.5A NPN 100V SOT-23F Bipolar Transistors - BJT ROHS
HQonline
ZXTN19100CFF Series 100 V 4.5 A NPN SMT High Gain Power Transistor-SOT-23F
Future Electronics
Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
IHS
TRANSITOR, NPN, SOT-23F; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:4.5A; DC Current Gain hFE:350; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23F; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:235mV; Continuous Collector Current Ic Max:4.5A; Current Ic @ Vce Sat:4.5A; Current Ic Continuous a Max:4.5A; Current Ic hFE:1A; Gain Bandwidth ft Min:150MHz; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:130; Package / Case:SOT-23F; Peak Current Icm:6A; Power Dissipation Pd:1.5W; Power Dissipation Ptot Max:1.5W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power Bipolar; Turn Off Time:133ns; Turn On Time:23.6ns; Voltage Vcbo:200V
element14 APAC

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Newark
Future Electronics
RS APAC
TME
iiiC
HQonline

Alias du fabricant

Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :

  • Diodes Incorporated
  • DIODE
  • DII
  • DIO
  • DIODE INC
  • DC COMPONENTS
  • DIOD
  • YENYO
  • Diodes Zetex
  • MICRO COM
  • MICRO ELECTRONIC INS
  • Diodes Inc / Zetex
  • DIODE INCORPORATED
  • DIODES ZET
  • DIODSE
  • DINC
  • Diodes Inc Inc
  • DIOINC
  • FORMOSA MS
  • DIODES INC(RoHS)
  • ZETEX (DIODES INC)
  • DIODES INC/VISHAY
  • Diodes Incorporation
  • ZETEXDIODES
  • DIODES INC/VISH
  • Pericom
  • Diodes Incorporated