Diodes Inc. ZX5T851ASTZ
$ 0.513
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZX5T851ASTZ | 16 000 | 2K | 1d | ||||||||
| Verical | ZX5T851ASTZ | 16 000 | 2K | |||||||||
| DigiKey | ZX5T851ASTZDICT-ND | 1 954 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZX5T851ASTZ | 0 | 1 | 22h | ||||||||
| Arrow Electronics | ZX5T851ASTZ | 0 | 2K |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXTN2010ASTZ
Small Signal Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiKSC2331YBU
Bulk Through Hole NPN KSC2331 Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 50mA 2V 700mA 1W 50MHz
onsemiKSC1008RBU
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 40 @ 50mA 2V 100nA ICBO 800mW 50MHz
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. ZX5T851ASTZ fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 4.5A 3-PIN
Trans GP BJT NPN 60V 4.5A 1000mW 3-Pin E-Line Box
210mV@ 200mA,5A NPN 1W 7V 20nA 150V 60V 4.5A EP-3SC , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)150 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating4.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency130 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current4.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Box (TB)
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Transition Frequency130 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité